选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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VISHAYTO-263 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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IRNA |
8990 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
8238 |
23+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
18500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-22O |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
42568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
4675 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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IRC |
248 |
1535+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRIRF737LCPBF |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-TO-220AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
IRF737LC采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF737LC图片
IRF737LC中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF737LC功能描述:MOSFET N-Chan 300V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF737LCL功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF737LCPBF功能描述:MOSFET N-Chan 300V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF737LCS功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件