| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
1700 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
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IR原厂原装 |
3545 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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IRSOP-8 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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INFINEON/英飞凌SOP |
300 |
1930+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
6101 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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IRSOP8 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
31048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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8000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
5281 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRSO-8 |
12000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRSOIC-8 |
15596 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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INFINEONSOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
35316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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更多IRF7324功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7324D1功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7324D1PBF功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 270 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7324D1TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7324D1TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2.2A 270mOhm 5.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7324PBF功能描述:MOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7324TR制造商:International Rectifier 功能描述:Dual P-Channel 20 V 2 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7324TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
