选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
12500 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
53250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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IRPLCC20 |
18000 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
50000 |
23+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
23118 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRSOP8 |
90 |
0129+ |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IR |
12 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
500586 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
500586 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
34760 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
IRF7321D2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7321D2图片
IRF7321D2TRPBF价格
IRF7321D2TRPBF价格:¥1.2990品牌:International
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IRF7321D2中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7321D2功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7321D2PBF功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 62mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7321D2TR功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7321D2TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.9A 62mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube