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深圳市明嘉莱科技有限公司

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IRF730A

IRF730A

FAIRCHILD/仙童

155661

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRF730A

IRTO-220

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市赛能新源半导体有限公司

4年 留言
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IRF730A

ON/安森美TO-220

60000

21+

原装正品进口现货

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRF730A

FAIRCHILD/仙童TO-220

227

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市赛尔通科技有限公司

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IRF730A

STTO-220

65400

23+

深圳市芯祺盛科技有限公司

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IRF730A

IRTO-263

3744

01+

主营IR可含税只做全新原装正品现货

深圳市珩瑞科技有限公司

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IRF730A

IR

6000

21+

原装正品

深圳市高捷芯城科技有限公司

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VISHAY(威世)TO-220

7828

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRD2-PAK

9450

22+

原装正品,实单请联系

深圳市慧业盛科技有限公司

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VishayN/A

2000

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原装原装原装哈

深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRTO-220

15000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市明嘉莱科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童NA

880000

02+

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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IRNA/

22977

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRTO-220

9852

1950+

只做原装正品现货!或订货假一赔十!

深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220

860000

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

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SECTO220F

990000

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市博浩通科技有限公司

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IRTO-220AB

8600

23+

全新原装现货

深圳市星佑电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO220

8000

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全新原装 公司现货 价格优

深圳市富利微电子科技有限公司

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ST/意法TO-220

30000

23+

房间原装现货特价热卖,有单详谈

深圳市星宇佳科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220

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生产厂家品牌为Vishay的IRF730APBF多少钱,想知道IRF730APBF价格是多少?参考价:¥4.5042。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF730APBF批发价格及采购报价,IRF730APBF销售排行榜及行情走势,IRF730APBF报价。

IRF730A资讯

IRF730AS(S) 腾利达电子有限公司

庄先生/李小姐0755-82539601传真:0755-82539602 主营三极管(场效应,可控硅,快恢复,肖特基,达林顿,三四五端稳压,IR,FSC,ON,ST,INF。

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IRF730A功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF730AL功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF730ALPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF730APBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF730AS功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF730ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF730ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF730ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF730ASTRR功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF730ASTRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube