| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRFSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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I&RSOP |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRFSOP-8 |
8150 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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120088 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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INFINEON原封 □ |
21500 |
23+ |
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
5000 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
19905 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
5316 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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IRF7204PBF价格
IRF7204PBF价格：￥0.9826品牌：INTERNATIONAL
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IRF7204TRPBF洪兴微电子商行 0755-82548551/13590219551
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IRF7204TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7204功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7204PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7204TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7204TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7204TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
