| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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原装IRDirectFET |
3500 |
06+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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3084 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRDIRCTFET |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRPLL |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)MG-WDSON-5 |
11177 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRQFN |
60000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRDirectFET MT |
4800 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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3084 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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4800 |
15+ |
DirectFET MT |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRDirectFET |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
8600 |
1923+ |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRDirectFET |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRDirectFET |
5027 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRDirectFET |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRSMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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IRDirectFET |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IORQFN |
5000 |
04+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRDirectFETMP |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IORDIRECTFE |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
IRF6618采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF6618图片
IRF6618TRPBF价格
IRF6618TRPBF价格：￥14.9066品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF6618TRPBF多少钱，想知道IRF6618TRPBF价格是多少？参考价：￥14.9066。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF6618TRPBF批发价格及采购报价，IRF6618TRPBF销售排行榜及行情走势，IRF6618TRPBF报价。
IRF6618中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6618功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6618PBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET?Power MOSFET ?
IRF6618TR1功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6618TR1PBF功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6618TRPBF功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
