| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
16060 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
636 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VISN/A |
1600 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
8000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO263 |
1709 |
21+ |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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ir |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO263 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
88871 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT-263 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
88871 |
22+ |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
6069 |
06+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IRTO263 |
6680 |
2228+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
IRF644S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF644S图片
IRF644SPBF价格
IRF644SPBF价格：￥7.8767品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF644SPBF多少钱，想知道IRF644SPBF价格是多少？参考价：￥7.8767。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF644SPBF批发价格及采购报价，IRF644SPBF销售排行榜及行情走势，IRF644SPBF报价。
IRF644S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF644S功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644STRL功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644STRR功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF644STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
