| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-263 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
64 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOT263 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-263 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
10115 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
247 |
1922+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR标准封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
22+ |
绝对进口原装现货 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IORTO263-2.5 |
18000 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
340 |
23+ |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO252 |
100000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
IRF630S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF630S图片
IRF630SPBF价格
IRF630SPBF价格：￥4.1012品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF630SPBF多少钱，想知道IRF630SPBF价格是多少？参考价：￥4.1012。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF630SPBF批发价格及采购报价，IRF630SPBF销售排行榜及行情走势，IRF630SPBF报价。
IRF630S资讯
IRF630STRPBF IRF630S TO-263 MOSFET N 通道 9A 200V
深圳市勤思达科技有限公司主营场效应管MOS管，公司现货库存供应IRF630NSTRPBF，正品原装，品质保证，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
IRF630S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF630S功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630ST4功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630STRL功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630STRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
