| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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HARTO-220 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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SECTO-220AB |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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HARTO-220 |
7500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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HARTO-220 |
11980 |
2122+ |
只做原装进口正品,假一赔十,价格优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SECTO-220AB |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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INFINEONSOP-8 |
18000 |
23+ |
进口原装现货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
30000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
11368 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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100000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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IRF620PBF价格：￥1.6489品牌：VISHAY
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IRF6201TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF620功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6201PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6201TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
IRF620B制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
IRF620B_FP001功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | CHIP
IRF620FI制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF620L功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
