选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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2000 |
10+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO220 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
6583 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501306 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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INTERNATIONA原厂原装 |
4744 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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IRF614S图片
IRF614SPBF价格
IRF614SPBF价格:¥2.7595品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF614SPBF多少钱,想知道IRF614SPBF价格是多少?参考价:¥2.7595。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF614SPBF批发价格及采购报价,IRF614SPBF销售排行榜及行情走势,IRF614SPBF报价。
IRF614S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF614S功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614STRL功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF614STRR功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube