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深圳市汇莱威科技有限公司

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IRF6100

IRBGA4

7906200

深圳市科创腾达科技有限公司

3年 留言
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    朱小姐

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IRBGA-4

8888888

21+

原装正品现货/订货 价格优惠可开票

深圳市汇莱威科技有限公司

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QFN

68900

IR

原包原标签100%进口原装常备现货!

深圳市金芯世纪电子有限公司

1年 留言
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IRBGA-4

100000

22+

代理渠道/只做原装/可含税

深圳市华睿芯科技有限公司

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    深圳市福田中航路都会100大厦B座10Q

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IRBGA-4

20000

23+

原厂原装正品现货

深圳市卓越微芯电子有限公司

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IRQFN

5990

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司

10年 留言
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    孙小姐/张先生/李先生进口原装现货可开13%增值税票

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    上海市闵行区万源路2800号

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IORPLCC

18000

23+

深圳市晨豪科技有限公司

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    罗先生/严小姐/叶先生/邹先生

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    深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103

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INFINEON/英飞凌BGA-4

89630

23+

当天发货全新原装现货

深圳市天成基业科技有限公司

2年 留言
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    朱小姐

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    广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6层

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IRBGA-4

9500

20+/21+

全新原装正品价格优势

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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    国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室(微信号:sz8910)

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    2024-3-28 17:24:00

IRBGA-4

12000

23+

全新原装优势

深圳市明嘉莱科技有限公司

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    深圳市福田区振华路118号华丽大院西座1栋518

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IRNA

880000

0728+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市莱克讯科技有限公司

7年 留言
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    业务部:朱先生;朱小姐(代理原装现货库存-美国-日本-台湾)

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    深圳市福田区振兴西路华匀大厦1栋5楼B08

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IRBGA-4

45826

2017+

深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票

深圳市莱克讯科技有限公司

5年 留言
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IRMICRO-4

32568

2017+

深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票

深圳市华斯顿科技有限公司

14年 留言
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    朱先生-余先生-夏小姐-张小姐

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    深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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IRBGA-4

28276

22+23+

绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货

深圳市维尔达电子有限公司

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IRBGA-4

80000

2023+

一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品

深圳市赛美科科技有限公司

9年 留言
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IRROHS

13352

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市胜彬电子有限公司

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    2024-3-28 16:42:00

IRBGA

8000

22+

1+
:¥0.1

原装正品支持实单

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRMICREL

55200

16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

深圳市恒达亿科技有限公司

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IRBGA-4

4500

23+

全新原装、诚信经营、公司现货销售

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRF6100功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF6100PBF功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件