| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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XY/星宇佳TO-220 |
19851 |
21+ |
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自主品牌 量大可定 |
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常州市相凡电子有限公司3年
留言
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英飞凌D2PAK |
6000 |
21+ |
全新原装，只做原装 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
20000 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220/TO-263 |
50000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列原装正品,公司大量现货供应,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-263 |
7200 |
21+ |
绝对原装INFINEON正品现货，12年信誉保证只做原装、一定有货！张小姐电话：0755-82797778 13692179527微信同号，欢迎查询！ |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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73500 |
21+/22+ |
原装正品 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
3500 |
23+ |
全新原装,公司现货销售 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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原厂封装 |
21032 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
15800 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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10000 |
2015+ |
公司现货库存 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONSOP |
29980 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP8 |
5000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-220AB |
12500 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
8398 |
17+ |
原装现货价格绝对优势Y |
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IRF540NPBF价格：￥1.2900品牌：INTERNATIONAL
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IRF540N N沟道场效应管 贸泽微只做原装。
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IRF540NPBF华来深电子
IRF540NPBF
IRF540NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF540功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF540,127功能描述:MOSFET RAIL IR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF540/D功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
IRF540_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.055ヘ - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
IRF540_R4941功能描述:MOSFET USE 512-IRF540A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF540837D制造商:MITSUBISHI 功能描述:NEW
IRF540A功能描述:MOSFET TO-220 N-Ch A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF540CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP
IRF540FI功能描述:MOSFET REORD 511-IRF540 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:100 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:17 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.077 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 175 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
IRF540L功能描述:MOSFET N-CH 100V 28A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
