| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
6315 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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9986 |
20+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONSOP |
28518 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
12500 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-263 |
1191 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
25600 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
16392 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
25600 |
19+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO263 |
31048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO263 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
2500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
18400 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
IRF5305S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF5305S图片
IRF5305STRLPBF价格
IRF5305STRLPBF价格：￥2.9950品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF5305STRLPBF多少钱，想知道IRF5305STRLPBF价格是多少？参考价：￥2.9950。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF5305STRLPBF批发价格及采购报价，IRF5305STRLPBF销售排行榜及行情走势，IRF5305STRLPBF报价。
IRF5305STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF5305S功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF5305SLPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
IRF5305SPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305STRL制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak
IRF5305STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF5305STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305STRLPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 55 V 110 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRF5305STRR功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
