| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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InfineonTO-220 |
100 |
2132+ |
原装现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IORTO220 |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP8 |
10000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-263 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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33050 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市世华芯科技有限公司1年
留言
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INFINEON原厂封装 |
3000 |
2147+ |
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15年芯片行业经验/只供原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
150 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
4510 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
686 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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750 |
18+ |
TO-220-3 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
750 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
300 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
IRF520N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF520N图片
IRF520NPBF价格
IRF520NPBF价格：￥1.8172品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF520NPBF多少钱，想知道IRF520NPBF价格是多少？参考价：￥1.8172。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF520NPBF批发价格及采购报价，IRF520NPBF销售排行榜及行情走势，IRF520NPBF报价。
IRF520NPBF资讯
IRF520NPBF
IRF520NPBF
IRF520NPBF 深圳市凌旭科技有限公司
型号：IRF520NPBF厂家：IR批号：2010+数量：2000封装：TO-220 备注：凌旭科技新到原装现货，品正价优！欢迎来电咨询，本公司可开17%增值税发票！ 联系人：谢先生，电话：0755-8322167713682335883QQ：150
IRF520NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF520N功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF520NL功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF520NSPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 9.5A, 200 MOHM, 16.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 9.7A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.5A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power ;RoHS Compliant: Yes
IRF520NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
