| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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IRTO220 |
25000 |
21+ |
假一赔十 ，苏 13717145215 QQ：2850151734 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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VISHAYTO-220AB-3 |
26000 |
22+ |
价格优势，实单来谈！ |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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InfineonTO-220 |
100 |
2132+ |
原装现货 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP8 |
10000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-263 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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33050 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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296668 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
4510 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IORTO220 |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
19044 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
IRF520采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF520图片
IRF520PBF价格
IRF520PBF价格：￥1.6826品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF520PBF多少钱，想知道IRF520PBF价格是多少？参考价：￥1.6826。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF520PBF批发价格及采购报价，IRF520PBF销售排行榜及行情走势，IRF520PBF报价。
IRF520PBF资讯
IRF520NPBF
IRF520NPBF
IRF520NPBF 深圳市凌旭科技有限公司
型号：IRF520NPBF厂家：IR批号：2010+数量：2000封装：TO-220 备注：凌旭科技新到原装现货，品正价优！欢迎来电咨询，本公司可开17%增值税发票！ 联系人：谢先生，电话：0755-8322167713682335883QQ：150
IRF520PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF520功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520A功能描述:MOSFET 9.2A 100V .4 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP
IRF520FI制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF520L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520N功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF520NL功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
