选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
275 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
4800 |
21+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRD2PAKTO263 |
30 |
12+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IRD2-Pak |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0ND2PAK (TO-263) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
31500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
IRF4104S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF4104S图片
IRF4104SPBF价格
IRF4104SPBF价格:¥3.0287品牌:INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF4104SPBF多少钱,想知道IRF4104SPBF价格是多少?参考价:¥3.0287。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF4104SPBF批发价格及采购报价,IRF4104SPBF销售排行榜及行情走势,IRF4104SPBF报价。
IRF4104S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF4104S功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF4104SPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube