| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
454 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
4800 |
21+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
275 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
15000 |
23+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
18396 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
1000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
12000 |
20+ |
进口原装支持含税 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
20934 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
IRF4104采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF4104图片
IRF4104GPBF价格
IRF4104GPBF价格：￥12.7420品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF4104GPBF多少钱，想知道IRF4104GPBF价格是多少？参考价：￥12.7420。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF4104GPBF批发价格及采购报价，IRF4104GPBF销售排行榜及行情走势，IRF4104GPBF报价。
IRF4104PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF4104功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF4104GPBF功能描述:MOSFET 40V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF4104HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF4104L功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF4104LPBF功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF4104PBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF4104S功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF4104SPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
