| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRSOT-263 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
12916 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
8648 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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INFINEONTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-263 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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Infineon/英飞凌TO-263 |
9865 |
23+/24+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌to-263 |
200 |
19+ |
进口原装支持含税 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
31638 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
2800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRD2-Pak |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
6451 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
3021 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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IRF3808S图片
IRF3808SPBF价格
IRF3808SPBF价格：￥7.3305品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRF3808SPBF多少钱，想知道IRF3808SPBF价格是多少？参考价：￥7.3305。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF3808SPBF批发价格及采购报价，IRF3808SPBF销售排行榜及行情走势，IRF3808SPBF报价。
IRF3808S资讯
IRF3808S IR整流器 75V106A TO263 N沟道 功率MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF3808S75V106ATO263N沟道功率MOS管IR整流器
IRF3808S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3808S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808SPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808STRL功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262
IRF3808STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3808STRR功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808STRRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
