| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRSOT-263 |
11450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IRTO263 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISTO-263262 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
4187 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSOT263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO263 |
3000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
376 |
0509+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT-263 |
5600 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRNA |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
IRF3711S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3711S图片
IRF3711S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3711S功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711SHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3711SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3711STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3711STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3711STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3711STRRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
