| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
283 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRD2-Pak |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501281 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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9310 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
73781 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR原装 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRD2-Pak |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501281 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
IRF3707S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3707S图片
IRF3707SPBF价格
IRF3707SPBF价格：￥14.3205品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF3707SPBF多少钱，想知道IRF3707SPBF价格是多少？参考价：￥14.3205。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF3707SPBF批发价格及采购报价，IRF3707SPBF销售排行榜及行情走势，IRF3707SPBF报价。
IRF3707S资讯
IRF3707S MOSFET 30V 62A TO263 N沟道 IR
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF3707S30V62ATO263
IRF3707S D2PAK MOSFET N 通道 30V IR全新原装进口
深圳市勤思达科技有限公司主营MOSFET场效应管，IGBT晶体管，全新原装，长期供应，现货热卖IRF3707S，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
IRF3707S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3707S功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3707STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH SMPS HEXFET 30V 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3707STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
