| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
2304 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
9865 |
23+/24+ |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
242 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
10115 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRD2-Pak |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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IRNA |
880000 |
04+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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D2-Pak |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRD2-Pak |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
IRF3706S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3706S图片
IRF3706S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3706S功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3706SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 77A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3706SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3706STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3706STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 77A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
