| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRSOT-263 |
8510 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRNA |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOT263 |
8500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IR/VISHAYTO-263-2 |
55000 |
2019 |
原装正品现货假一赔十 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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IRTO262 |
6000 |
23+ |
只有原装正品,老板发话合适就出 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IRTO263-2 |
12900 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO263 |
102 |
23+ |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IORTO-263 |
2987 |
22+ |
绝对全新原装现货供应! |
IRF3704S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3704S图片
IRF3704S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3704S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
IRF3704SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
