| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
2100 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/MOTTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/MOTTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-3 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-3 |
10000 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
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IRTO-3 |
48495 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-3 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-3 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IRTO-3(铁帽) |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3 |
140 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
20000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK |
800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
IRF351采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF351图片
IRF3515STRL中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF351制造商:Harris Corporation 制造商:International Rectifier
IRF351制造商:Harris Corporation 制造商:International Rectifier
IRF3515L功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRF3515LPBF制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 41A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
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IRF3515S功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515S功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3515SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Bulk
