| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
13448 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
17716 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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INFINEON原封 □ |
21500 |
23+ |
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市世联芯科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263-3 |
5000 |
21+ |
原装进口,假一罚十,低价供应 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-263 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市尚品诚源电子有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
5000 |
23+ |
全新原现 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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Infineon英飞凌TO263-2 |
4000 |
2021 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市盈宏半导体科技有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌DIP-8 |
10 |
20+ |
INFINEON/英飞凌 场效应管 IRF3415S MOSFET N-CH 150V |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscD2PAK/TO-263 |
140 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
IRF3415S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3415S图片
IRF3415STRL价格
IRF3415STRL价格：￥13.2653品牌：Int'L Rectifier
生产厂家品牌为Int'L Rectifier的IRF3415STRL多少钱，想知道IRF3415STRL价格是多少？参考价：￥13.2653。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF3415STRL批发价格及采购报价，IRF3415STRL销售排行榜及行情走势，IRF3415STRL报价。
IRF3415S资讯
IRF3415STRL
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IRF3415S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3415S功能描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3415SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3415SPBF功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3415STRL制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3415STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3415STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3415STRLPBF-EL制造商:International Rectifier
IRF3415STRR功能描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3415STRRPBF功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
