| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
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9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
11848 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
16116 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
4184 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263-7 |
10970 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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IR3 |
264 |
TO263 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
7092 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRD2PAK-7 |
2365 |
23+ |
公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
12800 |
23+ |
进口原装现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
4000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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IR公司现货 |
6800 |
20+ |
IRF2804STRL采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF2804STRL图片
IRF2804STRL7PP价格
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IRF2804STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF2804STRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF2804STRL7PP功能描述:MOSFET MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2804STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
