| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
2919 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRD2-Pak |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501261 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IR/INFINEOND2-Pak |
22800 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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IRD2-PAK |
12000 |
2105+ |
原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRD2-PAK |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
22800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
IRF1503S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1503S图片
IRF1503SPBF价格
IRF1503SPBF价格：￥10.8359品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRF1503SPBF多少钱，想知道IRF1503SPBF价格是多少？参考价：￥10.8359。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF1503SPBF批发价格及采购报价，IRF1503SPBF销售排行榜及行情走势，IRF1503SPBF报价。
IRF1503S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1503S功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRF1503SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1503STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1503STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
