| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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200 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
2919 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-220AB |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRto220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
89377 |
22+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
5065 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IRTO-220 |
15000 |
06+ |
原装库存 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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irN/A |
6980 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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原厂TO-220 |
20000 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220AB |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
IRF1503采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1503图片
IRF1503PBF价格
IRF1503PBF价格：￥10.4064品牌：Internation.Rectifer
生产厂家品牌为Internation.Rectifer的IRF1503PBF多少钱，想知道IRF1503PBF价格是多少？参考价：￥10.4064。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF1503PBF批发价格及采购报价，IRF1503PBF销售排行榜及行情走势，IRF1503PBF报价。
IRF1503中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1503制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1503L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF1503LPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1503PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1503S功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRF1503SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1503STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1503STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
