| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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N/A |
10000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌T0-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
19848 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
24116 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
270 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO263 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONTO-263 |
12800 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRTO263 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-263 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
5600 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
24589 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
7500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
12000 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
IRF1404ZS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1404ZS图片
IRF1404ZSPBF价格
IRF1404ZSPBF价格：￥3.6681品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRF1404ZSPBF多少钱，想知道IRF1404ZSPBF价格是多少？参考价：￥3.6681。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF1404ZSPBF批发价格及采购报价，IRF1404ZSPBF销售排行榜及行情走势，IRF1404ZSPBF报价。
IRF1404ZS资讯
IRF1404ZSTRLPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
IRF1404ZS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1404ZS制造商:International Rectifier
IRF1404ZSPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404ZSTRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404ZSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404ZSTRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404ZSTRRPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
