选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
591 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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JAECSSOP |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
3091 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRSOP |
2734 |
1902+ |
代理品牌 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
22800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501251 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
89694 |
22+ |
IRF1104S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF1104S图片
IRF1104S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1104S功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1104SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF1104SPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 100A, 9 MOHM, 62 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 100A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 40V 100A D2PAK
IRF1104STRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1104STRLPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 100A, 9 MOHM, 62 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 100A 3PIN D2PAK - Tape and Reel