| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220/TO-263 |
50000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF1018E,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
3000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-262 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
1450 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220AB |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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InfineonSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-220 |
1478 |
2020+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
20743 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
17800 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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InfineonTO220AB |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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InfineonTO-220AB |
13695 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
25011 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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IRF1018EPBF价格
IRF1018EPBF价格：￥2.3556品牌：INTERNATIONAL
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IRF1018EPBF资讯
IRF1018EPBF
IRF1018EPBF
IRF1018EPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1018EPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1018ESLPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1018ESPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1018ESTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
