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深圳市正纳电子有限公司

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IR2233PBF

InfineonPDIP-28

2500

21+

保证原装正品 深圳现货

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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IR2233PBF

Infineon(英飞凌)PDIP-28

1255

23+

深耕行业12年,可提供技术支持。

深圳赋能华科电子有限公司

9年 留言
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IR2233PBF

infineon

7500

2210

专注英飞凌 原装支持第三方机构检测

深圳市华来深电子有限公司

11年 留言
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IR2233PBF

INFINEONDIP28

5515

23+

进口原装现货,代理库存,假一罚十,价格优惠,

迈思希姆半导体(江苏)有限公司

5年 留言
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IR2233PBF

InternationalRectifier28-DIP

11846

1818+

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IR2233PBF

IR2233PBF

Infineon Technologies28-DIP(0.600,15.24mm)

28071

23+

1+
:¥0.888

英飞凌电源管理芯片-原装正品

深圳市晴轩时代电子有限公司

6年 留言
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Infineon/英飞凌PDIP28

8800

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公司只作原装正品

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)PDIP-28

7350

23+

现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!

深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRDIP28

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市威雅利发展有限公司

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IRDIP28

6848

1026+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRna

65790

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市凌旭科技有限公司

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INFINEON/英飞凌NA

1820

21+

只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!

深圳市振宏微科技有限公司

8年 留言
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Infineo28-DIP(

9376

23+

专做原装正品,假一罚百!

深圳市冠亿通科技有限公司

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Infine

25000

21+

原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

深圳兆威电子有限公司

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IR28-PDIP

55000

2019

原装进口假一罚十

深圳市艾宇欣科技有限公司

3年 留言
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    深圳市福田区梅林街道上梅社区上梅林新村30号403

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InfineonN/A

493

1931+

加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物

深圳市卓越微芯电子有限公司

10年 留言
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IRDIP

5000

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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    蔡蔡

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INFINEON/英飞凌NA

413

23+

原装现货,专业配单专家

深圳市振宏微科技有限公司

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Infineon/英飞凌PDIP28

25630

23+

原装正品

深圳兆威电子有限公司

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InternationalRectifier28-DIP

90000

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IR2233PBF价格

IR2233PBF价格:¥75.6246品牌:International

生产厂家品牌为International的IR2233PBF多少钱,想知道IR2233PBF价格是多少?参考价:¥75.6246。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IR2233PBF批发价格及采购报价,IR2233PBF销售排行榜及行情走势,IR2233PBF报价。

IR2233PBF中文资料Alldatasheet PDF

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IR2233PBF功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Sep Hi&Lw Side Input 200ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    IR2233PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    3 相

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    90ns,40ns

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    28-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP