选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO251 |
3500 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
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InfineonTO-251AA-3 |
60000 |
23+ |
原厂正规渠道现货、保证原装正品 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
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infineon |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO251-3 |
11540 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-251 |
57550 |
2022+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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infineonP-TO251 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEOTO251 |
6528 |
1735+ |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEOTO251 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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INFINEONIPAK(TO-251) |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-251-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINE0NTO-251 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO251 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-251 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO251 |
75 |
1427+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO251-3 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO251-3 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
IPU10N03L采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IPU10N03L图片
IPU10N03LAG中文资料Alldatasheet PDF
更多IPU10N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A IPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU10N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU10N03LAG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU10N03LAGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251