| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO-251 |
1350 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO251 |
21000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
4600 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONTO-251 |
7650 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
20000 |
22+ |
原装现货,实单支持 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ADITO-251 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市福安瓯科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
11220 |
23+ |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
1350 |
23+ |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-251 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
10000 |
21+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO251 |
2820 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO251-3 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT251 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO-251 |
475 |
1423+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-251 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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IPU09N03LAG中文资料Alldatasheet PDF
更多IPU09N03LA制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPU09N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU09N03LAG制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPU09N03LAGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU09N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU09N03LBG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU09N03LBGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
