选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
59 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
3704 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONTO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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INFINEONTO-251 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFSOP |
251156 |
1715+ |
只做原装正品现货假一赔十! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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Infineon/英飞凌TO-251 |
59 |
04+ |
向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35800 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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TO251 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFTO-251-3 |
55000 |
2019 |
原装正品现货假一赔十 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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InfineonTO-251 |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO251-3 |
57550 |
2022+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO251 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO251 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌IPAK |
32365 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
IPU06N03L采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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IPU06N03LAG价格
IPU06N03LAG价格:¥6.6495品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPU06N03LAG多少钱,想知道IPU06N03LAG价格是多少?参考价:¥6.6495。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IPU06N03LAG批发价格及采购报价,IPU06N03LAG销售排行榜及行情走势,IPU06N03LAG报价。
IPU06N03LB中文资料Alldatasheet PDF
更多IPU06N03LA制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPU06N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU06N03LAG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU06N03LAGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU06N03LB制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPU06N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU06N03LBG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU06N03LBGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU06N03LZG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU06N03LZGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251