| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
INFINEONTO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市吉银科技有限公司1年
留言
|
INF |
1490 |
1535+ |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
P-TO251-3-21 |
68900 |
VB |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
|
INFINEOTO251 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
INFINEOTO251 |
6528 |
1735+ |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
|||
|
深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
|
INFINEONTO251 |
57550 |
2022+ |
||||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
INFINEONTO-220 |
550 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-251 |
93256 |
22+ |
||||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌IPAK |
32365 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌NA/ |
747 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
INFINE0NTO-251 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
infineonTO-251 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
|
深圳市九方航科技有限公司3年
留言
|
VBSEMIP-TO251-3-21 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
VBSEMI/台湾微碧P-TO251-3-21 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
INFINEOTO-251 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
INFINEON-英飞凌TO-251-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
VBP-TO251-3-21 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
30650 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
IPU04N03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPU04N03图片
IPU04N03LA中文资料Alldatasheet PDF
更多IPU04N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU04N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU04N03LAG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU04N03LAGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU04N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU04N03LBG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU04N03LBGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
