选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO252-3 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-2 |
2500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252-3 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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ITO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INTERSILNA/ |
3861 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONSOT-252-3 |
13500 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌DPAK |
92497 |
22+ |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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INFINEON原厂原装 |
1305 |
360000 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONSOT-252-3 |
7650 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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InfineonTO-252-2 |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
28500 |
1415+ |
全新原装正品,优势热卖 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesP-TO252-3 |
2500 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INTERSILTO252-3 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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INFINEONSOT-252 |
82500 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO-252 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
IPF09N03LA采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IPF09N03LA图片
IPF09N03LA中文资料Alldatasheet PDF
更多IPF09N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPF09N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPF09N03LAG功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPF09N03LANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252