| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRSOT-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17274 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
5000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
2000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesTO:252 |
3300 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-252 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRSOT-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO:252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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infineonTO-263 |
8888888 |
21+ |
全新原装现货价格优惠可开票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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SOT-252 |
7541 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252D-PAK |
24190 |
20+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO-252 |
60000 |
17+ |
保证原装进口现货可开17%增值税发票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
IPD05N03LA采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPD05N03LA图片
IPD05N03LA中文资料Alldatasheet PDF
更多IPD05N03LA制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD05N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPD05N03LAG功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPD05N03LAGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
