| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRP-TO263-3 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
92525 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK(TO-263AB) |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
6680 |
2022+ |
原厂原装，欢迎咨询 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINE0NTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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infineonTO-263 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
12000 |
2012+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
55000 |
2019 |
原装进口假一罚十 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
92525 |
22+ |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINE0NTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45980 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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InfineonD2PAK |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
IPB13N03LB采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB13N03LB图片
IPB13N03LB中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB13N03LB功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB13N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB13N03LBG制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Infineon Technologies AG
IPB13N03LBGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
