| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9300 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO263-3 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
16966 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
10053 |
2105+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9865 |
23+/24+ |
原装MOS管(场效应管). |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
3960 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONSOT-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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InfineonTO-263-2 |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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INFINEON TO263 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONTO220 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO263 |
9280 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
IPB09N03L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IPB09N03LA中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB09N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB09N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB09N03LAG功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB09N03LAGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB09N03LAT功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
