| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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IPB072N15N3GTO263 |
10000 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品：0755-83267371邹小姐 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
10000 |
24+ |
全新原装正品现货,假一赔三,INFINEON/英飞凌MOS(场 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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INFINEON/英飞凌TO-263-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONN/A |
10000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
17131 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
28160 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
23892 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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英飞凌TO-263 |
910 |
20+ |
只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌TO-263 |
75000 |
2017+ |
原装正品现货,可开13点税 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
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平伟TO-263 |
125048 |
22+ |
公司现货库存,有挂就有货,支持实单 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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INFINEONTO-263 |
23500 |
2019 |
原装正品钻石品质假一赔十 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-263 |
20000 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
8002 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263-3 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEON原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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InfineonTO-263 |
8000 |
21+ |
只有原装,价格优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
IPB072N15N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IPB072N15N3G价格
IPB072N15N3G价格：￥16.1491品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPB072N15N3G多少钱，想知道IPB072N15N3G价格是多少？参考价：￥16.1491。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IPB072N15N3G批发价格及采购报价，IPB072N15N3G销售排行榜及行情走势，IPB072N15N3G报价。
IPB072N15N3GATMA1资讯
IPB072N15N3GATMA1中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB072N15N3 G功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB072N15N3 G E8187功能描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB072N15N3G制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Ch 150V 100A OptiMOS3 TO263 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB072N15N3-G制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 3 Power-Transistor
IPB072N15N3G E8187制造商:Infineon Technologies AG
IPB072N15N3GATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB072N15N3GE8187ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB072N15N3GE818XT功能描述:MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB072N15N3GXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
