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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    许小姐

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IPB04N03L

INFINEONTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)TO-263

8498

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

10年 留言
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IRP-TO263-3

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市特莱科技有限公司

6年 留言
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INFINEON/英飞凌P-TO263-3-2

6665

21+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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INFINEON/英飞凌NA/

9915

23+

原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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INFINEON

8890

23+

价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询

深圳兆威电子有限公司

5年 留言
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INFINE0NTO-263

90000

20+

全新原装正品/库存充足

深圳市威尔健半导体有限公司

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ON/安森美TO-252

69820

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终端可以免费供样,支持BOM配单!

深圳市宇集芯电子有限公司

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INFINEONTO-263

90000

23+

一级代理商进口原装现货、价格合理

深圳市杰顺创科技有限公司

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INFINEONTO-263

5587

21+

原装现货库存

上海鑫科润电子科技有限公司

7年 留言
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INFINEON

120

01+

原装现货海量库存欢迎咨询

瀚佳科技(深圳)有限公司

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infineonP-TO263-3-2

16800

2020+

绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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INFINEON/英飞凌P-TO263-3-2

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市惊羽科技有限公司

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INFINEON-英飞凌TO-263-3

78800

24+25+/26+27+

1
+:¥10
1000
+:¥10

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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Infineon/英飞凌TO-263

6000

23+

原装正品,支持实单

深圳和润天下电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

93328

22+

深圳市安富世纪电子有限公司

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infineonP-TO263-3-2

7300

23+

专注配单,只做原装进口现货

深圳市华来深电子有限公司

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INFINE0NTO-263

11846

23+

一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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INFINEONTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    夏小姐.李先生(公司为一般纳税人,可开13%增票)

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infineonP-TO263-3-2

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IPB04N03LAT价格:¥7.4560品牌:Infineon

生产厂家品牌为Infineon的IPB04N03LAT多少钱,想知道IPB04N03LAT价格是多少?参考价:¥7.4560。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IPB04N03LAT批发价格及采购报价,IPB04N03LAT销售排行榜及行情走势,IPB04N03LAT报价。

IPB04N03L资讯

IPB04N03LA TO-263 N通道 MOSFET管

深圳市勤思达科技有限公司主营INFINEON系列,公司授权分销,大量现货库存,可以直接原厂订货,货期短,品质保证,公司长期供应IPB04N03LA,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

IPB04N03L中文资料Alldatasheet PDF

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IPB04N03L制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Buck converter series

IPB04N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IPB04N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IPB04N03LAG功能描述:MOSFET N-CH 25 V 80 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IPB04N03LAGATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

IPB04N03LAGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

IPB04N03LANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

IPB04N03LAT功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IPB04N03LB功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IPB04N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件