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深圳市吉中创电子科技有限公司

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INFINEON/TO-263-3

10000

23+

原装进口现货,

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IPB042N10N3G

SOP

30101

23+

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:¥0.888

热卖原装进口

深圳市誉腾达半导体科技有限公司

1年 留言
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    朱小姐

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英飞凌N/A

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22+

公司只有原装

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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IPB042N10N3G

英飞凌N/A

10000

22+

只做原装,支持实单

深圳市英科美电子有限公司

9年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-263

18188

2021+

原装进口假一罚十

深圳市胜彬电子有限公司

11年 留言
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INFINEON/英飞凌TO263

8000

2152+

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原装正品假一罚十

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    张小姐/李先生(正规纳税人企业,可开13%增票,请放心采购)

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    深圳市福田区红荔路上步工业区501栋407

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INFINEONTO-263

8000

21+

十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

深圳市华康联电子科技有限公司

12年 留言
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    深圳市福田区华强北街道赛格广场4011A

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INFINEONTO-263

20000

23+

深圳市云美电子科技有限公司

1年 留言
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    只做原装正品以信从商

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    李小姐(本公司为一般纳税人)

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    深圳市龙岗区布吉街道东方半岛社区景芬路4号华浩源2栋1单元201

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INFINEONTO263

99750

22+

只做原装进口现货

深圳市东来宝电子科技有限公司

11年 留言
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    十年信誉只做原装正品

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    邓先生(本公司为一般纳税人)

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    深圳市龙岗区布吉街道景芬路华浩源2栋1单元201室/香港九龍新界圓藍天水圍嘉湖山莊賞湖居六座39E

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INFINEON/英飞凌TO-263

75000

22+

郑重承诺只做原装进口现货

深圳市鑫炜纳电子有限公司

6年 留言
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INFINEO原厂原封装

93628

2021+

原装进口现货 假一罚百

深圳市明嘉莱科技有限公司

4年 留言
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    深圳市福田区振华路118号华丽大院西座1栋518

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INFINEONTO-263

918000

23+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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    王先生/刘小姐

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INFINEON/英飞凌SOT-263

860000

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市勤尚伟业电子有限公司

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    阮桂英

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infineon

793

原装正品老板王磊+13925678267

深圳市永贝尔科技有限公司

7年 留言
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Infineon(英飞凌)TO-263-2

4550

2023+

全新原装正品

深圳市金芯世纪电子有限公司

1年 留言
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    陈小姐

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INFINEON

100000

代理渠道/只做原装/可含税

深圳市宝芯创电子有限公司

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INFINEONSOT-263

1666

22+

只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!

深圳市纳艾斯科技有限公司

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INFINEONTO-263

8000

21+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市品优时代科技有限公司

5年 留言
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INFINEONTO263

23500

2019

原装正品钻石品质假一赔十

深圳市科思奇电子科技有限公司

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    林小姐

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INFINEON/英飞凌SOT-263

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20+

支持实单/原盒/原包/原标/进口原装

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IPB042N10N3G制造商:Infineon Technologies AG

IPB042N10N3GATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

IPB042N10N3GE8187ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

IPB042N10N3GE818XT功能描述:MOSFET OptiMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube