| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONSOP |
3500 |
22+ |
专业分销!只做原装现货价优一手货源 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEOND2PAK(TO-263) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
4000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
4000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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INFINEONTO263 |
23589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesTO263 |
24209 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市福安瓯科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
11220 |
23+ |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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InfineonTO-263 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌1000REEL |
880000 |
06+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
11000 |
23+ |
原厂/代理渠道 价格优势 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
IPB03N03LA采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB03N03LA图片
IPB03N03LA中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB03N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB03N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB03N03LAG制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Infineon Technologies AG
IPB03N03LAGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
