选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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英飞翎TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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INFINEONTO-247 |
2000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONTO-3P |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO247 |
13133 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
10048 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO247 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-3P |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFNA/ |
5328 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247(AC) |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFSOP |
251156 |
1715+ |
只做原装正品现货假一赔十! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO247 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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上海专毅电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-247 |
9888 |
17+ |
只做原装,现货库存 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
2000 |
19+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
15000 |
22+ |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO247-3 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原装,可配单 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEON |
100 |
原装现货,价格优惠 |
IHW30N120R2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IHW30N120R2图片
IHW30N120R2价格
IHW30N120R2价格:¥19.5738品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IHW30N120R2多少钱,想知道IHW30N120R2价格是多少?参考价:¥19.5738。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IHW30N120R2批发价格及采购报价,IHW30N120R2销售排行榜及行情走势,IHW30N120R2报价。
IHW30N120R2中文资料Alldatasheet PDF
更多IHW30N120R2功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW30N120R2_09制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Soft Switching Series
IHW30N120R2FKSA1功能描述:IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IHW30N120R2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop®
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT,沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,30A
- 开关能量:
3.1mJ
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/792ns
- 测试条件:
600V,30A,28 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT 1200V 60A 390W TO247-3