选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
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INFNA |
30000 |
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100%全新原装 假一赔十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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INF2013+ |
7300 |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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INF2013+ |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳中芯器材有限公司11年
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INF |
8 |
RoHSCompliant |
neworiginal |
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IFS150B12N3T4图片
IFS150B12N3T4_B31中文资料Alldatasheet PDF
更多IFS150B12N3T4_B31功能描述:IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: