选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IDTSOJ |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IDTSOJ |
3783 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IDTSOJ |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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IDTSOJ |
100 |
9840+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
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IDTSOJ |
6000 |
21+ |
全新原装 现货 价优 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IDT/Integrated Device TechnoloSOJ/28 |
978 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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IDTSOJ |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
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IDTSOJ |
6000 |
22+ |
全新原装现货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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IDTSOJ |
5825 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IDTSOJ28 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IDTSOJ |
100000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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IDTSOJ28 |
6014 |
2021+ |
百分百原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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SOJ28 |
68900 |
IDT |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IDT28300MILSOJ |
9526 |
23+ |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
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IDTSOJ |
132 |
04+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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IDT28-SOJ |
9550 |
23+ |
专业分销产品!原装正品!价格优势! |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IDTSOJ28 |
7384 |
16+ |
全新原装 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IDTSOJ |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IDTSOJ28 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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IDTSOJ |
8800 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
IDT71V256SA10Y采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IDT71V256SA10Y图片
IDT71V256SA10Y中文资料Alldatasheet PDF
更多IDT71V256SA10Y功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA10Y8功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA10YG功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6
IDT71V256SA10YG8功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K(32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465,11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷(TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8
IDT71V256SA10YGI功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA10YGI8功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA10YI功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA10YI8功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
产品属性
- 产品编号:
IDT71V256SA10Y
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
10ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
- 供应商器件封装:
28-SOJ
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ