| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IDTSOJ28 |
3 |
14+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IDTSOJ-28 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IDTSOJ-28 |
278 |
1022+ |
向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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IDTSOJ-28 |
6893 |
2023+ |
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专注全新正品,优势现货供应 |
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深圳市富诚威科技有限公司5年
留言
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IDTSOJ28 |
2750 |
22+ |
只做原装公司现货! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
38460 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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IDTSOJ-28 |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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IDTPGA |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IDT/Integrated Device TechnoloSOP-28P |
610 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IDTSOJ |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IDTSOJ |
12 |
96+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IDTSOJ |
15000 |
23+ |
全新原装现货假一赔十 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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IDT |
135 |
96 |
公司优势库存 热卖中!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IDTSOJ |
65480 |
23+ |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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IDTSOJ28 |
6000 |
23+ |
所有报价以当天为准 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IDT原厂原装 |
16000 |
24+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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IDTSOJ28 |
2000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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IDT |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
留言
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IDTSOJ28 |
10000 |
23+ |
原包原标签100%进口原装常备现货!长期排单到货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IDT, Integrated Device Techno28-SOJ |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
IDT7164S20Y采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IDT7164S20Y图片
IDT7164S20Y中文资料Alldatasheet PDF
更多IDT7164S20Y功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT7164S20Y8功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT7164S20YG功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6
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IDT7164S20YGI功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT7164S20YGI8功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT7164S20YI功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT7164S20YI8功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
产品属性
- 产品编号：
IDT7164S20Y
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
64Kb（8K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
20ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
- 供应商器件封装：
28-SOJ
- 描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
