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H11B2TA-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B2TB-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B2-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B2X	文件：55.92 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTODARLINGTONOUTPUT DESCRIPTION TheH11B_seriesofopticallycoupledisolatorsconsistofaninfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphotodarlingtoninaspaceefficientdualinlineplasticpackage. FEATURES ●Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpartno.	ISOCOM Isocom Components 2004 LTD	ISOCOM
HZ11B2	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HZ11B2	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZ11B2	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
HZ11B2	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HZS11B2	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU11B2	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU11B2L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KT11B2CM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B2CM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	Internalactuatorsealandinsertmoldedterminals??permitsolderingandcleaning	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B2JM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B2SAM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KT11B2SM	文件：430.18 Kbytes Page：3 Pages	SealedTactileSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
PZU11B2	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU11B2A/DG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PZU11B2L	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PZU11B2L	文件：133.1 Kbytes Page：13 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
HZ11B2(E)
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
10.6V Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	HZ11B2L-E	RENESAS(瑞萨)/IDT	23+	DO35	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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