| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TSSOP |
25000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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HYNIX/海力士BGA |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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QIMONDABGA |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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QIMONDABGA |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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QIMONDZ货真价实,假一罚十 |
25000 |
BGA |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONBGA60 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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HYBBGA |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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INFINEONBGA84 |
6800 |
20+ |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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INFINEONBGA |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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QIMONDAFBGA |
1022 |
08+ |
原包原装现货,专注ARM内存闪存等芯片 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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QimondaBGA |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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INFINEONBGA |
6520 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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QIMONDABGA |
98900 |
22+ |
只做原装，支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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QIMONDABGA |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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BULK BGA |
312 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONBGA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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INFINEONBGA |
10000 |
1922+ |
公司进口原装特价处理 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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QIMONDABGA |
5600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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BULKBG |
312 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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QIMONDABGA |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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HYB18T512800AF-3.7价格
HYB18T512800AF-3.7价格：￥153.0343品牌：Infineon Tech ICS
生产厂家品牌为Infineon Tech ICS的HYB18T512800AF-3.7多少钱，想知道HYB18T512800AF-3.7价格是多少？参考价：￥153.0343。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，HYB18T512800AF-3.7批发价格及采购报价，HYB18T512800AF-3.7销售排行榜及行情走势，HYB18T512800AF-3.7报价。
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HYB18T512160AF-3.7
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HYB18T512中文资料Alldatasheet PDF
更多HYB18T512161BF-25制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S制造商:Qimonda
HYB18T512800AF-3S制造商:Qimonda 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K(2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449(CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K(2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445(CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K(128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷(TR)
