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IRFD9110	文件：342.88 Kbytes Page：6 Pages	-0.6Aand-0.7A,-80Vand-100V,1.2and1.6Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Features •-0.6Aand-07A,-80Vand-100V •rDS(ON)=	HARRIS HARRIS corporation	HARRIS
IRFD9110	文件：93.95 Kbytes Page：7 Pages	0.7A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFD9110	文件：173.36 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-0.70A) HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFD9110	文件：54.38 Kbytes Page：6 Pages	0.7A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFD9110	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9110	文件：218.22 Kbytes Page：6 Pages	1-WATTRATEDPOWERMOSFETs HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFD9110	文件：1.64972 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9110	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •Fastswitching •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9110PBF	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9110PBF	文件：1.79065 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=1.2廓,ID=-0.70A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFD9110PBF	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFE9110	文件：19.18 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9110	文件：125.22 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFF9110	文件：136.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFF9110	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9110	文件：656.29 Kbytes Page：2 Pages	100V,P-CHANNEL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFF9110	文件：143.61 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalso	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFG9110	文件：218.24 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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更多HXJ9110供应商更新时间2024-5-31 11:00:00

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